当地时间10月29日，美股存储板块继续狂飙，截至发稿，希捷科技大涨17.2%，西部数据涨超12%，Sa­n­D­i­sk涨超10%，美光科技涨近3%。

值得注意的是，近两个月美股存储板块涨幅惊人。希捷科技累涨54.41%，西部数据累涨72.37%，美光科技累涨89.13%，Sa­n­D­i­sk累涨283%。

消息面上，存储产品价格近期呈现出惊人的上涨态势。据中国蓝新闻，在浙江杭州，内存条近一个月价格翻了一番。有商户表示，原来200多元的内存条现在涨到400多元，原来1000多元的则涨到近2000元。

社交媒体上不少网友纷纷晒出自己所囤的内存条，庆幸提前组装了电脑，“真没想到内存条如今成了‘电子茅台’，涨得比黄金还快。”

内存价格暴涨

据界面新闻，TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第三季度，DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%。若以今日国际现货黄金每盎司价格3998美元计算，较去年低位时的1890美元也只涨了115%。

从现货市场数据来看，在10月13日至18日期间，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均价相较上周分别上涨20.59%、11.11%，相较上月涨幅更是高达58.73%、43%。

DDR全称为Double Data Rate（双倍数据速率），是内存条（即动态随机存取存储器，DRAM）的核心技术标准，也是衡量内存性能的关键指标之一。

存储芯片具体可分为两类：一是数据持久化存储（如NAND闪存，断电后数据不丢失），二是实时数据暂存（如DRAM，需持续供电，读写速度快）；其中，基于DRAM技术的高端品类HBM（高带宽内存），可满足AI计算、服务器等场景中“海量数据实时流转”的需求。

AI驱动的产能转移引发产品供应结构性失衡，是此轮涨价的核心逻辑。

自2022年11月ChatGPT诞生引发生成式人工智能热潮并推动全球竞相建设人工智能数据中心以来，存储芯片制造商就一直在将更多产能转向HBM芯片的生产。

Yole Group预计，2025年，主要用于GPU生产的HBM产品的营收预计将接近翻倍，达到约340亿美元；HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。

值得一提的是，HBM所消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多，像OpenAI等企业提出的每月90万片晶圆订单，相当于消耗了当前全球DRAM月产能的53%。

此外，长鑫存储等中国公司在低端DRAM芯片上日益激烈的竞争，也促使控制全球DRAM芯片市场约70%份额的韩国三星和SK海力士加速向高端芯片转型。这些厂商自2025年初起便陆续调整战略，逐步减少乃至计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高、技术更先进的DDR5、HBM等产品。这直接挤压了DDR4的产能空间，使得DDR4产量减少，市场上供不应求。

为应对涨价，早在年初就有不少经销商开始大量囤货锁价。在华强北等电子集散地，自二季度开始出现经销商大规模扫货现象，导致民用市场的现货流通量减少，进一步加剧了价格上涨。

TrendForce集邦咨询7月发布的报告显示，由于三大厂转移产能，并宣布个人电脑、服务器用DDR4及手机用LPDDR4X进入产品生命周期末期，引发了市场对上一代产品积极备货，再加上正值存储行业旺季，现货市场供不应求。2025年第三季度DRAM合约价上涨10%至15%，第三季涨价幅度达到40%至45%。

存储芯片厂商赚翻了

据财联社，根据韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。

据其估算，三星7—9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务则达60%。美光科技上月预测，2026年HBM与非HBM业务均将保持健康的利润率。